Halbleiter-Schaltungstechnik by Ulrich Tietze, Christoph Schenk, Eberhard Gamm

By Ulrich Tietze, Christoph Schenk, Eberhard Gamm

In der 12. Auflage des bewährten Lehrbuchs ist ein Quantensprung gelungen. Erstmalig enthält der Tietze/Schenk fünf neue Kapitel über Schaltungen der Nachrichtentechnik, in denen die Grundlagen der Modulationsverfahren, der Aufbau von Sendern und Empfängern und deren Komponenten praxisnah behandelt werden. Damit wurde die Bandbreite des Tietze/Schenk in den Gigahertzbereich erweitert.

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Da der Strom bereits bei Annäherung an die Durchbruchspannung deutlich zunimmt, siehe Abb. 3, wird eine maximale Sperrspannung URymax angegeben, bis zu der der Rückwärtsstrom noch unter einem Grenzwert im μΑ-Bereich bleibt. Bei Aussteuerung mit Pulsen oder bei einem einzelnen Impuls sind höhere Sperrspannungen zulässig; sie werden periodische Spitzensperrspannung (repetitive peak reverse voltage) URRM und Spitzensperrspannung (peak surge reverse voltage) URSM genannt und sind so gewählt, daß die Diode keinen Schaden nimmt.

Für 0 < Ua < Uz sperrt die Z-Diode und die Ausgangsspannung ergibt sich durch Spannungsteilung an den Widerständen Ry und RL'. ua = u e ^ Wenn die Z-Diode leitet gilt Ua « Uz· Daraus folgt für die in Abb. / (1 + Ua für Ue > Uz ( 1 + Uz ^ ) RL) ^ Der Arbeitspunkt muß in dem Bereich liegen, in dem die Kennlinie nahezu horizontal verläuft, damit die Stabilisierung wirksam ist. 7]: dUe Ue s= Ua Μ Ue dUa UqRy Uerz Ue Ua Beispiel: In einer Schaltung mit einer Versorgungsspannung Ub = 12 V ± 1V soll ein Schaltungsteil Α mit einer Spannung UA = 5,1 V db 10 mV versorgt werden; dabei wird ein Strom IA = 1 mA benötigt.

1 Verhalten einer Diode Abb. 7. Schaltung zur Messung des Schaltverhaltens Schaltverhalten bei ohmscher Last: Bei ohmscher Last (L = 0) tritt beim Einschalten eine Stromspitze auf, die durch die Aufladung der Kapazität der Diode verursacht wird. Die Spannung steigt während dieser Stromspitze von der zuvor anliegenden Sperrspannung auf die Flußspannung UF an; damit ist der Einschaltvorgang abgeschlossen. Bei pin-Dioden λ kann bei höheren Strömen Abb. 8. Schaltverhalten der Silizium-Diode 1N4148 und der Schottky-Diode BAS40 in der Meßschaltung nach Abb.

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